省エネルギー効果にも期待、超低損失電力素子技術開発に画期的ブレークスルー電子技術総合研究所などが成功

　経済産業省ニューサインシャイン計画のもと、新エネルギー総合開発機構（ＮＥＤＯ）が（財）新機能素子研究開発協会に委託して進めている「超低損失電力素子技術開発プロジェクト」において、産業技術総合研究所電子技術総合研究所（児玉皓雄所長）と新機能素子研究開発協会（山本卓眞会長）は共同研究の結果、チャネル移動度１４０ｃｍ2／ＶsのＨ-ＳiＣ界面制御エンハンスメント型埋め込みチャネル（ＭＯＳＦＥＴ）の作成に成功した。また、超高温、高速熱処理装置を開発することにより、オン抵抗要因のひとつであるＳiＣＭＯＳＦＥＴソース／ドレインの抵抗値を３８Ω/□まで下げることにも成功。これらの技術は、Ｓｉ素子の１００分の１のオン抵抗値の実現に目処をつけ、家電製品や産業用機器の効率を飛躍的に向上し、省エネルギーへ多大に貢献することが期待される。【経済産業省】