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イベント情報データセンターの省電力化に貢献する技術開発動向

データセンターの省電力化に貢献する技術開発動向

【カテゴリ】 エネルギー 省エネルギー

【開催日】2025.12.05

【開催地】東京都


会場受講/ライブ配信/アーカイブ配信(2週間、何度でもご視聴可)

【重点講義内容】
T.データセンターの省電力化プロジェクト

国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構
次世代グリーンデータセンター技術開発プロジェクト
プロジェクトマネージャー
安藤 俊(あんどう しゅん) 氏

13:00〜14:10
本プロジェクトは、NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)が管理・推進する多くの研究開発プロジェクトの一つです。世界中の情報サービスを支えるデータセンターの電力消費は着実に増加しています。AIの普及により更に急増する電力消費に対応するため、3つの研究開発(光エレクトロニクス技術の開発、光に適合したチップ等の高性能化・省エネ化技術の開発、ディスアグリゲーション技術の開発)に取り組んでいきます。

1.NEDOについて
2.次世代グリーンデータセンター技術開発プロジェクト概要
3.今後のデータセンターについて
3.省電力化に必要な要素について
4.研究開発の概要
5.質疑応答/名刺交換

U.データセンタ省電力化など産業用途への貢献が期待される
   GaNパワーデバイスの技術動向

筑波大学 数理物質系 教授
岩室 憲幸(いわむろ のりゆき) 氏

14:20〜15:30
2025年現在、AI・クラウド・IoTの急速な普及により、データセンタの電力消費と処理密度はかつてないほどの高水準に達していると言われている。この消費電力削減のためには電源アーキテクチャの革新をもたらす省電力技術が必要不可欠であり、それを実現するための切り札の一つとして、新材料GaN(窒化ガリウム)パワーデバイスの普及が期待されている。本講演では、最強のライバルであるシリコンMOSFETからGaNパワーデバイスの開発技術の現状と今後の動向について、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

1.パワーデバイス市場の現在と未来
2.パワーデバイス開発のポイントは何か
3.最新シリコンMOSFETを支える技術
4.データセンタ向けになぜGaNデバイスなのか
5.GaNパワーデバイスの最新技術
6.GaNとSiCパワーデバイスのすみ分け
7.質疑応答/名刺交換

【講師プロフィール】
安藤 俊(あんどう しゅん) 氏
2009年 富士通入社 スパコン京のシステム開発に従事
2016年 スパコン富岳のシステム開発に従事
2024年 NEDOへ出向 次世代グリーンデータセンター技術開発プロジェクト プロジェクトマネージャー

岩室 憲幸(いわむろ のりゆき) 氏
富士電機株式会社に入社後、現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事
1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事
2009年5月〜2013年3月 産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事
2013年4月〜 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る
1998年 博士(工学)(早稲田大学)

【登録日】2025.10.23

登録者情報

【登録日】 2025.10.23

【登録者】新社会システム総合研究所

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